ASML:华为芯片取得长足进步但仍落后于英特尔/台积电

首席执行官 Christophe Fouquet 最近表示,华为芯片随着时间的推移取得了进步,但仍落后于英特尔和台积电。中国芯片产业目前表现不错,但与国外竞争对手相比落后10至15年。

在接受NRC媒体采访时,ASML CEO谈到华为芯片,,以及中国的芯片制造能力。该高管认为,该国可能会继续难以与市场上其他半导体生产商持平。

克里斯托夫回忆起当时当局以“国家安全”为由制裁了许多中国公司。该禁令最终导致中国先进技术出口暂停,包括先进芯片制造工具。

这指出缺乏先进芯片制造工具严重影响了中国芯片行业。即使国家使用顶级机,将无法达到台积电和英特尔的芯片制造工艺水平。

“通过禁止EUV出口,中国将落后西方10到15年。这确实有效果。”– ASML 首席执行官 Christophe Fouquet 说道。

他补充道,如果没有EUV光刻设备,中国将在芯片领域落后。这位首席执行官描述了公司的经历,称ASML用了20多年的时间从​​基础芯片制造层面跃升到EUV芯片生态系统。

华为芯片取得了长足进步,但仍落后于英特尔/台积电:ASML(图片来源:ASML)

该高管进一步表示,尽管有命令对于一项 EUV 技术,ASML 从未发货。在美国贸易出口管制之后,这家芯片生产商从未向中国交付任何高端机器,而是向中国发送了 DUV 工具。

Twinscan NCT: 2000i 就是这样的工具之一,它可以使用 5nm 和 7nm 工艺技术制造芯片。华为和中芯国际目前正在使用相同的技术。

华为和中国企业正在寻求新的途径,让他们在芯片领域取得更大的进步。该公司正在考虑制造自己的EUV设备,但再次实施这一计划将需要很长时间。

正如Christophe所说,该公司在半导体竞赛中取得了长足进步,但中外芯片技术10-15年的差距不会轻易缩小。

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